IP新锐芯耀辉多点破局DDR PHY技术瓶颈(2)

DDR是SoC系统中的功耗大户，如何减小DDR的功耗一直是DDR技术革新的动力和方向之一。最直接的方法就是降低供电电压，而这正是DRAM规范的演进之路。另一方面，从DDR4和LPDDR4开始，DRAM规范定义了POD IO 架构（针对DDR4和DDR5）、LVSTL IO架构（针对LPDDR4和LPDDR5）和数据总线倒置(DBI)技术，能有效地减小IO端的功耗。

以上降低功耗的方法是JEDEC规范限定的技术，芯耀辉还开发出一种动态频率切换技术，能有效降低系统总功耗。该技术在DRAM初始化的时候可以训练多达多个频率点的配置，并保存相关训练结果。当系统确定不需要DRAM工作在高频率时，可以通知DDR控制器，然后DDR控制器会通知DFI，并让DRAM进入自刷新状态，之后频率切换就会自动在DFI和DDR PHY内部进行，频率切换完成之后DDR控制器则会让DRAM退出自刷新，这样DDR就可以切换到一个较低的工作频率，从而降低功耗。相较于同类产品，该技术最大特点是整个过程无需固件接入，在新的频率点无需重新做训练，从而快速稳定地实现频率切换。

总结

未来，市场对DDR PHY的需求持续增长，在先进制程上的需求更加突出。芯耀辉较早切入了基于FinFET工艺的IP开发，通过不断的技术创新，成为目前少数能提供先进制程、优越性能，稳定可靠的DDR PHY的本土企业之一。

百尺竿头，更进一步，芯耀辉人必将以提供高性能的接口类IP，高品质的设计服务为己任，奋发图强，助力携手合作广大芯片设计公司及晶圆代工厂，推出更优秀的产品，助力提升中国芯片产业的发展。

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